韶關市金源金屬材料有限公司供應氮化鎵（GaN）、氮化鎵（GaN）單晶、氮化鎵（GaN）晶片2寸3寸4寸，
韶關金源金屬公司專業(yè)有色金屬、稀有金屬、小金屬、特色合金、貴金屬、等供應商。為解決小量夠買金屬的難題，特推出在線支付寶交易模式。方便各地買家。
我們的作風： 質量為本，信譽第一。我們的目標： 同行業(yè)的服務先鋒。
我們的發(fā)展戰(zhàn)略：借力互聯(lián)網市場 形成全國銷售群 創(chuàng)有色金屬行業(yè)知名品牌。
人才理念： 企業(yè)的成功來自于每一名員工的付出。
經營理念： 以質量求生存 以服務求發(fā)展。
服務理念： 始于客戶需求，終于客戶滿意。
聯(lián)系人：李先生
手機：13826310980 （微信同號）
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簡要介紹
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GaN具有寬的直接帶隙，強的原子鍵，高的熱導率等性質和強的抗輻照能力，不僅是短波長光電子材料，也是高溫半導體器件的換代材料，GaN體系可以用來制備藍、綠光LED，藍紫、紫外光LD、紫外探測器以及高頻大功率電子器件。
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詳細參數(shù)
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產品型號Item
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GaN-FS-10
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GaN-FS-15
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尺寸Dimensions
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10.0mm×10.5mm
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14.0mm×15.0mm
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孔洞密度Marco Defect Density
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A Level
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0 cm-2
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B Level
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≤ 2 cm-2
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厚度Thickness
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Rank 300
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300 ± 25 μm
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Rank 350
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350 ± 25 μm
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Rank 400
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400 ± 25 μm
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晶體取向Orientation
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C-axis(0001) ± 0.5°
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TTV(Total Thickness Variation)
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≤15 μm
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彎曲度BOW
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≤20 μm
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導電類型Conduction Type
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N-type
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Semi-Insulating
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電阻率Resistivity(300K)
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< 0.5 Ω·cm
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>106 Ω·cm
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位錯密度Dislocation Density
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Less than 5x106 cm-2
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有效面積Useable Surface Area
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> 90%
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拋光Polishing
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Front Surface: Ra < 0.2nm. Epi-ready polished
Back Surface: Fine ground
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包裝Package
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Packaged in a class 100 clean room environment, in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere.
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